資訊中心NEWS CENTER
在發展中求生存,不斷完善,以良好信譽和科學的管理促進企業迅速發展如何用好光譜橢偏儀?
在納米薄膜、光學涂層、半導體晶圓、光電材料的研發與檢測里,光譜橢偏儀是繞不開的“高精度檢測設備"。小到納米級薄膜厚度,精到材料的折射率、消光系數和介電常數,再到多層薄膜結構解析,橢偏儀都能精準測量。
但是眾多客戶也經常向我們反饋:時間久了不會測量?不確定數據采集得準不準?數據建模更是毫無頭緒?明明是無損、高精度的專業檢測手段,偏偏卡在實操和數據分析上,最后浪費樣品又耽誤實驗進度。
今天我們就拋開復雜的公式,一文講透光譜橢偏儀的核心原理、標準操作流程,還有最頭疼的數據建模痛點,新手能快速上手,老手直接避坑~
測量原理:橢偏儀可以測什么參數?
光譜橢偏儀的核心原理很簡單:一束橢圓偏振光入射樣品,探測器通過接收反射光的偏振狀態變化,結合軟件建模反推樣品的光學常數和結構參數等信息。設備發射偏振光以某個固定角度照射樣品,光在薄膜表面與層間界面反射后,振幅和相位會發生規律性變化,最終采集到兩個核心的原始參數:
· Ψ(Psi):反射光振幅比變化,體現光的衰減程度
· Δ(Delta):反射光相位差變化,體現光的相位偏移
當然這兩個參數無法直接等同于膜厚和光學常數,必須通過后續的數據建模及擬合,才能轉化為所需要的物理量,數據建模流程涉及到復雜的菲涅爾公式和穆勒矩陣,這里就不過多介紹,感興趣的朋友可以去查閱相關文獻。
實操流程:4步標準流程,測出準確數據!
①樣品預處理(核心前提)
樣品表面必須潔凈無油污、粉塵、劃痕,超薄膜保證均勻無孔隙,塊狀樣品拋光后要進行烘干,杜絕殘留雜質造成光散射,避免測出錯誤數據。
②開機校準(設備超過3個月沒開機,重啟后必須進行校準)
開機預熱20分鐘左右,確保光源及光學部件穩定;校準時必須用廠家提供的標準硅片做系統校準,消除光路偏移、環境帶來的系統誤差。
③數據采集
樣品放置樣品臺中心,真空吸附固定,小尺寸樣品可以測3個點,大尺寸樣品可以做多點Mapping掃描測試;測試結束后先檢查原始光譜,曲線平滑無雜峰才算合格。
④數據保存
測完及時導出Ψ、Δ原始光譜,標注樣品信息,然后進入數據建模環節。
數據建模:橢偏儀核心痛點!
數據建模和擬合是橢偏儀使用的核心難點,也是90%使用者的困難點,以下就是武漢頤光根據多年積累的應用經驗總結的建模小技巧:
① 熟練使用Cauchy模型
作為橢偏分析中的常用模型,柯西模型可以適用絕大多數透明薄膜(SiO2/Al2O3/ZnO2/SiNx/等);調用模型后,需要先給模型中的參數設定初始值,調到仿真光譜和實際光譜接近后再進行擬合。值得注意的是,柯西模型中的A/B/kA/Exp等參數不能為負數,如果擬合中出現負數,需重新調整參數進行擬合。
示例:硅襯底上單層氧化鋁薄膜
模型頁面
擬合光譜
② 不能忽略樣品表面粗糙度
實際的薄膜并非是光滑平整的樣品,表面粗糙層的光學常數與主體膜層會有差異;為了使擬合結果更貼合實際工藝狀況,需要考慮使用粗糙度模型。
示例:硅襯底上單層氮化鎵薄膜,使用柯西模型分析,如下圖:
未考慮粗糙層的擬合光譜
考慮粗糙層的擬合光譜
③ 擅用分層模型
針對通過反應濺射、共沉積等工藝制膜的高折、易氧化/易氮化等材料,往往在工藝中很容易出現折射率分層現象,導致最終膜層具有折射率梯度變化,例如:透明導電氧化物(ITO/IZO/AZO)、氮化物(SiNx/TiON)、非晶硅等。
未使用分層模型擬合光譜
使用分層模型后擬合光譜
關于我們
武漢頤光科技有限公司(Wuhan Eoptics Technology Co., Ltd.)是國內專業從事光譜橢偏儀及相關光學量測設備研發、制造與銷售的技術型企業,十多年來長期專注于光學量測設備賽道深耕積累,公司以自主創新為驅動,構建了覆蓋從科學研究到工業應用的全鏈條產品體系。
核心產品包括系列化光譜橢偏儀(SE)、反射膜厚儀(SR)、傅里葉變換紅外光譜儀(FTIR)及晶圓形貌量測設備等,廣泛應用于半導體、顯示面板、光通信、新能源、光學鍍膜、應用材料及科學研究等領域,為客戶的研發創新與質量管控提供精準、高效的光學量測解決方案。
頤光科技依托母公司上海精測半導體技術有限公司在半導體前道量檢測領域的技術優勢與產業資源,深化協同創新與技術融合,持續推動光學量測儀器的自主化與產業化發展,助力中國精密制造與科技創新進程,立志成長為值得用戶信賴的光學量測品牌。

Copyright©2026 武漢頤光科技有限公司 版權所有 備案號:鄂ICP備17018907號-2 sitemap.xml 技術支持:化工儀器網 管理登陸